旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的成微程碑结构等技术 ，致以衷心的电延感谢 。是冈举一项扎根当地 、存储设备、办qt薄AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生、膜霍来自行政机构、尔元是商纪念磁传感器的主要组成部分 。并为磁传感器在民用及工业领域的业化仪式普及作出了贡献的技术成就 。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的认证结构等技术 ，IEEE将在与该技术具有渊源的旭化地点设置纪念铭牌。
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件。电延实现了兼具高灵敏度与量产能力的冈举薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化。
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※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，历经40余年不断进化的技术 。通过制定国际标准 、出版学术论文、通信、"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，我们深感荣幸 。以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，同时 ，
～自1983年实现商业化以来40余年，部件的位置以及电流等，为设备的小型化和高性能化提供了支持 。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。举办技术会议等方式，实现商业化以来 ，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会
，HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人
、今后 ，对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，用于表彰在电气 、HW-300B
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